最近ASML（阿斯麦）交付了第三代极紫外（EUV）光刻工具，新设备型号为Twinscan
NXE:3800E，配备了0.33数值孔径透镜。相比于之前的Twinscan
NXE:3600D，性能有了进一步的提高，可以支持未来几年3nm及2nm芯片的制造。
在ASML看来，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA
EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和精度方面的又一次飞跃。新的光刻设备可实现每小时处理195片晶圆的处理速度，相比Twinscan
NXE:3600D的160片大概提升了22%，将来有可能提高至220片。此外，新工具还提供了小于1.1nm的晶圆对准精度。
即便用于4/5nm芯片的生产，Twinscan
NXE:3800E也能提升效率，让制造商可以提高芯片生产的经济性，实现更为高效且更具成本效益的芯片生产。更为重要的一点，是Twinscan
NXE:3800E对于制造2nm芯片和后续需要双重曝光的制造技术有更好的效果，精度的提升会让3nm以下的制程节点受益。
Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA
EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN
EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。
ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下来将带来新款Twinscan
NXE:4000F，计划在2026年发布，这凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。
